ЦЕНТР КОЛЕКТИВНОГО КОРИСТУВАННЯ НАУКОВИМ ОБЛАДНАННЯМ при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України “Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем”
Центр колективного користування науковим обладнанням
Перелік наявних заптів обладнання ЦККНО
407,66 тис. євро
Основне науково-технічне і наукове призначення ультра сучасного Комплексу є дослідження та оптимізація функціональних електрофізичних та фотоелектричних параметрів матеріалів, структур та мікроелектронних компонент напівпровідникових пристроїв на мікрорівні. Система НВЧ-детектування фотопровідності (MDPmap) є компактний настільний безконтактний випробувально дослідницький прилад для просторового мікрокартографування електричних параметрів для офлайн-контролю виробничих процесів і/або проведення науково-дослідних робіт. MDPmap використовується для вимірювання часу життя носіїв заряду, фотопровідності, питомого опору та концентрації дефектів в залежності від величини інжектованих носіїв для стаціонарного стану і при короткоімпульсному збудженні до 100 нс (μ-PCD). Інтегрування 4 різних лазерів у MDPmap дозволяє вимірювати залежність часу життя неосновних носіїв та фотопровідності в дуже широкій області інжектованих носіїв.
Наразі в Україні відсутній подібний випробувально-діагностичний комплекс для просторової мікро-візуалізації та кількісної характеризації матеріалів та електронних компонент приладів мікроелектроніки. Крім того, наявні прилади радянських часів для електричних вимірювань є морально і технічно застарілим, та не придатними для вирішення технологічних і наукових проблем спрямованих на створення активних елементів субмікронних розмірів напівпровідникової мікроелектроніки, зокрема для потреб ЗСУ. Зокрема, наразі для ІФН НАН України він є критично важливим для виконання державних, відомчих тем для випробувально-діагностичного супроводу технологічних розробок спрямованих на практичне виготовлення інфрачервоних фотоприймальних модулів та матричних елементів 128х128 на основі вузькозонних напівпровідників для систем спостереження та прицілювання, та тепловізійних головок самонаведення засобів ураження високоточного озброєння (ПТРК, ПЗРК, ракет різних класів).